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분포전송선로(분포정수 전송선로) 개념과 전송선로 방정식 본문
작성 기준일: 2026-10-11
분포전송선로(Distributed Transmission Line)는 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 커패시턴스가 선로 전체에 걸쳐 분포한다고 보고 해석하는 전송선로 모델입니다. 고주파 신호가 전달되는 선로에서는 위치에 따라 전압과 전류가 달라지기 때문에, 이 모델로 전송선로 방정식을 세워 선로의 특성을 구합니다. 이 글에서는 분포전송선로의 개념과 등가회로, 전송선로 방정식을 정리합니다.
분포전송선로 (Distributed Transmission Line)
개요
개발 배경: 저주파 회로에서는 전선의 길이를 무시하고 전압과 전류를 한 지점의 값으로 다루는 집중정수 회로로 해석합니다. 신호 주파수가 높아져 파장이 짧아지면 선로 길이가 파장과 비교할 수 없을 만큼 무시할 수 없게 되고, 같은 선로에서도 위치에 따라 전압과 전류 값이 달라집니다. 일반적으로 선로 길이가 파장의 약 1/10 이상이면 이 효과를 고려해야 합니다.
발전: 전송선로를 아주 짧은 구간으로 나누어 각 구간을 R, L, G, C로 표현하는 분포정수 모델이 정립되었고, 이 모델에서 전송선로 방정식이 도출되었습니다. 현재는 동축케이블, 마이크로스트립라인, 고속 디지털 PCB 배선의 해석과 설계에 사용합니다.
개념
- 분포정수 회로 (Distributed Parameter Circuit): 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 커패시턴스가 선로 전체에 걸쳐 분포한다고 보는 회로 모델.
- 전송선로 방정식 (Telegrapher's Equation): 분포정수 회로 구조를 기반으로 전압과 전류의 파동방정식을 도출할 수 있는 시간·주파수 영역의 회로 미분방정식.
분포정수 회로의 선로 정수는 모두 단위 길이당 값으로 표시함
| 선로 정수 | 의미 | 발생 원인 |
|---|---|---|
| R (Ω/m) | 단위 길이당 직렬 저항 | 도체의 저항 (고주파에서는 표피 효과로 증가) |
| L (H/m) | 단위 길이당 직렬 인덕턴스 | 도체 주위에 생기는 자기장 |
| G (S/m) | 단위 길이당 병렬 컨덕턴스 | 도체 사이 유전체의 누설 손실 |
| C (F/m) | 단위 길이당 병렬 커패시턴스 | 도체 사이에 생기는 전기장 |
개념도

선로를 길이 Δz의 아주 짧은 구간으로 나누면, 이 구간은 직렬로 RΔz와 LΔz, 병렬로 GΔz와 CΔz를 가진 회로로 표현됨. Δz를 0에 가깝게 줄이면 전송선로 방정식이 됨
주요 기술
전송선로 방정식과 이로부터 구하는 값은 다음과 같음
| 구분 | 수식 |
|---|---|
| 방정식 | dV(z)/dz + (R + jωL)·I(z) = 0 dI(z)/dz + (G + jωC)·V(z) = 0 |
| 파동방정식 | d²V(z)/dz² − γ²·V(z) = 0 d²I(z)/dz² − γ²·I(z) = 0 |
| 전파정수(γ) | γ = √[(R + jωL)(G + jωC)] = α + jβ |
| 특성 임피던스(Z₀) | Z₀ = √[(R + jωL)/(G + jωC)] 무손실 선로(R = G = 0): Z₀ = √(L/C) |
- 전송선로 방정식: 미소 구간의 전압 강하와 전류 감소를 나타내는 1계 미분방정식.
- 전송선로 파동방정식: 위 두 식을 정리한 2계 미분방정식으로, 전압·전류가 선로를 따라 파동으로 진행함을 나타냄.
- 전파정수(γ): α는 감쇠상수(단위 길이당 신호 크기 감소), β는 위상상수(단위 길이당 위상 변화)이며, 선로의 손실 조건에 따라 다음과 같이 나타냄.
- 무손실(R = G = 0): α = 0, β = ω√(LC)
- 저손실(R이 작고 G ≈ 0): α ≈ (R/2)√(C/L), β ≈ ω√(LC)
- G도 있는 경우: α ≈ (R/2)√(C/L) + (G/2)√(L/C)
- 특성 임피던스(Z₀): 선로를 따라 진행하는 전압과 전류의 비율로, 선로 구조에 따라 정해지는 값.
유도 과정
- ① 미소 구간에 전압 법칙(KVL)을 적용하면 V(z) − V(z+Δz) = (R + jωL)Δz·I(z)이고, Δz를 0으로 보내면 dV(z)/dz = −(R + jωL)·I(z)임
- ② 전류 법칙(KCL)을 적용하면 I(z) − I(z+Δz) = (G + jωC)Δz·V(z+Δz)이고, 같은 방식으로 dI(z)/dz = −(G + jωC)·V(z)임
- ③ 두 식을 한 번 더 미분해 서로 대입하면 파동방정식이 되고, 그 해는 입사파와 반사파의 합인 V(z) = V₊e−γz + V₋eγz임
주요 특징
선로의 손실 조건에 따라 전송선로 방정식의 결과가 단순해짐
| 구분 | 조건 | 특징 |
|---|---|---|
| 무손실 선로 | R = 0, G = 0 | γ = jβ, β = ω√(LC), Z₀ = √(L/C)로 신호가 감쇠 없이 진행 |
| 저손실 선로 | R ≪ ωL, G ≪ ωC | 감쇠상수 α가 작고, β ≈ ω√(LC), Z₀ ≈ √(L/C)로 근사하여 해석 |
| 무왜곡 선로 | R/L = G/C | 감쇠상수가 주파수와 무관해져 신호 모양이 변하지 않고 전달 |
집중정수 회로와 분포정수 회로 비교
| 비교 항목 | 집중정수 회로 | 분포정수 회로(분포전송선로) |
|---|---|---|
| 해석 대상 | 회로 크기가 파장보다 매우 작은 경우 | 선로 길이가 파장과 비교할 수 있는 경우 |
| 소자 표현 | R, L, C가 한 점에 모여 있다고 가정 | R, L, G, C가 선로 전체에 분포한다고 가정 |
| 전압·전류 | 위치와 관계없이 같은 값 | 위치(z)에 따라 값이 변함 |
| 지배 방정식 | 키르히호프 법칙에 따른 상미분방정식 | 전송선로 방정식(위치와 시간에 대한 편미분방정식) |
| 적용 주파수 | 저주파 | 고주파, 고속 디지털 신호 |
기술 동향·개선 사항·활용
- 동향·개선: 고속 디지털 신호와 5G 밀리미터파처럼 주파수가 높아지면 짧은 PCB 배선도 분포정수 회로로 해석해야 하며, 선로 정수를 직접 계산하는 대신 전자기장 해석 프로그램과 S-파라미터(회로를 입력·출력 신호의 비로 나타내는 방법)로 선로를 해석함
- 활용: 동축케이블, 마이크로스트립라인과 스트립라인, 안테나 급전선의 임피던스 정합과 고속 인터페이스 PCB의 임피던스 제어에 사용함
용어 설명
- 분포정수 회로(Distributed Parameter Circuit) : R, L, G, C가 선로 전체에 분포한다고 보는 회로 모델
- 집중정수 회로(Lumped Element Circuit) : 소자가 한 점에 모여 있다고 보는 회로 모델
- 전송선로 방정식(Telegrapher's Equation) : 전송선로의 전압과 전류 변화를 나타내는 미분방정식
- 전파정수(Propagation Constant, γ) : 감쇠상수와 위상상수로 이루어진 신호 진행 특성 값
- 감쇠상수(Attenuation Constant, α) : 단위 길이당 신호 크기가 줄어드는 정도
- 위상상수(Phase Constant, β) : 단위 길이당 위상이 변하는 정도
- 특성 임피던스(Characteristic Impedance, Z0) : 선로를 따라 진행하는 전압과 전류의 비율
- KVL·KCL(Kirchhoff's Voltage·Current Law, 키르히호프 전압·전류 법칙) : 회로의 전압과 전류를 해석하는 기본 법칙
- S-파라미터(Scattering Parameter) : 회로를 입력·출력 신호의 비로 나타내는 방법
- 표피 효과(Skin Effect) : 고주파 전류가 도체 표면으로만 흐르는 현상
참고 출처
- David M. Pozar, Microwave Engineering (4th ed.), Wiley
- Wikipedia, Telegrapher's equations
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